[发明专利]磁阻随机存取存储器件有效
| 申请号： | 201811060554.5 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109560191B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 李俊明;金柱显;朴正桓;吴世忠;张荣万 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件，该MRAM器件包括：下电极；阻挡图案，在下电极上并包括处于非晶态的二元金属硼化物；籽晶图案，在阻挡图案上并包括金属；在籽晶图案上的MTJ结构；以及在MTJ结构上的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻随机存取存储器件，包括：下电极；在所述下电极上的阻挡图案，所述阻挡图案包括处于非晶态的二元金属硼化物；在所述阻挡图案上的籽晶图案，所述籽晶图案包括金属；在所述籽晶图案上的磁隧道结结构；以及在所述磁隧道结结构上的上电极。
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