[发明专利]一种内嵌金属的碳洋葱导电材料及其制备方法在审
申请号: | 201811069300.X | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN109147986A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 金磊;金巨辉;李上斐;吴文明 | 申请(专利权)人: | 慈溪市万金电子元件有限公司 |
主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;H01B1/04;H01B5/00;H01B13/00;H01B13/30;C01B32/18 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 王闯 |
地址: | 315324 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种内嵌金属的碳洋葱导电材料,包括金属纳米颗粒和包在金属纳米颗粒之外的碳洋葱,碳洋葱由十几个到几十个同心壳层构成,金属纳米颗粒的直径为10‑30nm,碳洋葱的直径为60‑80nm,同心壳层的层间距为0.32‑0.4nm。本发明还提供了一种上述内嵌金属的碳洋葱导电材料的制备方法,包括(1)催化剂前驱体的准备;(2)催化剂前驱体还原;(3)CVD法合成碳洋葱;(4)产物的纯化处理,最终得到分离后的内嵌金属的碳洋葱导电材料。本发明提供的内嵌金属的碳洋葱导电材料的制备方法,具有易操作、可控性高的特点,原料利用率高,产物的分散性好,经多部纯化后实现了该新型材料的高纯度生产。 | ||
搜索关键词: | 碳洋葱 导电材料 内嵌 金属纳米颗粒 金属 制备 催化剂前驱体 同心壳 原料利用率 纯化处理 分散性好 新型材料 层间距 高纯度 合成碳 可控性 洋葱 还原 生产 | ||
【主权项】:
1.一种内嵌金属的碳洋葱导电材料,其特征在于,包括金属纳米颗粒和包在金属纳米颗粒之外的碳洋葱,碳洋葱由十几个到几十个同心壳层构成,金属纳米颗粒的直径为10‑30nm,碳洋葱的直径为60‑80nm,同心壳层的层间距为0.32‑0.4nm。
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