[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201811078301.0 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN110061010B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 乐瑞仁;李冠锋;刘敏钻;吴湲琳 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/33 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 喻颖 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: |
一种电子装置,包括:一基板,具有一第一表面和与所述第一表面相对的一第二表面,其中,所述基板具有一厚度t及一宽度WS;一第一穿孔穿透所述基板,其中,所述第一穿孔于所述第一表面上具有一第一面积A1’,且所述第一穿孔于所述第二表面上具有一第二面积A1;以及一第二穿孔穿透所述基板,其中,所述第二穿孔于所述第一表面上具有一第三面积A2’,且所述第二穿孔于所述第二表面上具有一第四面积A2,且所述第一穿孔与所述第二穿孔之间的距离为d,其中,数值t、WS、A1’、A1、A2’、A2,以及d符合下式(I): |
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搜索关键词: | 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电子装置,其特征在于,包括:一基板,具有一第一表面和与所述第一表面相对的一第二表面,其中,所述基板具有一由t表示的厚度及一由WS表示的宽度;一第一穿孔穿透所述基板,其中,所述第一穿孔于所述第一表面上具有一由A1’表示的第一面积,且所述第一穿孔于所述第二表面上具有一由A1表示的第二面积;以及一第二穿孔穿透所述基板,其中,所述第二穿孔于所述第一表面上具有一由A2’表示的第三面积,且所述第二穿孔于所述第二表面上具有一由A2表示的第四面积,且所述第一穿孔与所述第二穿孔之间的距离以d表示;其中,所述厚度t、所述宽度WS、所述第一面积A1’、所述第二面积A1、所述第三面积A2’、所述第四面积A2,以及所述距离d的数值符合下式(I):
其中,A1’、A1、A2’和A2以μm2作为单位,t和WS为以μm作为单位,且N大于0且小于1E6。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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