[发明专利]一种抗单粒子效应的触发器在审
| 申请号： | 201811080073.0 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109167589A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王海滨;戴茜茜;王杨圣;刘智;陆传荣;孙洪文;罗成名;张杰 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | H03K3/013 | 分类号： | H03K3/013;H03K3/3562 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 丁涛 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子效应的触发器，维持了双互锁单元在各种工艺下原有的电路拓扑结构和晶体管尺寸，在版图上基于双互锁主从型触发器各节点的敏感性分析进行重新布局，将NMOS/PMOS存储信息相同的漏端进行节点分离，防止两位相同存储信息一同发生错误造成双互锁单元翻转，将信息存储不同的同PMOS/NMOS型晶体管共源极相邻放置，在粒子入射影响时利用双互锁设计本身的电路连接特性抑制单粒子翻转，使敏感节点上由单粒子效应导致的额外电荷的影响有所抵消，并且将主从锁存器的晶体管以锯齿状的形式放置，将同步打击局限在狭窄的入射角度内，限制了主从锁存器多位存储节点同时被打中的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 抗单粒子效应 主从锁存器 存储信息 互锁单元 触发器 互锁 电路拓扑结构 主从型触发器 单粒子翻转 单粒子效应 敏感性分析 电路连接 多位存储 额外电荷 敏感节点 特性抑制 相邻放置 信息存储 翻转 共源极 锯齿状 入射角 原有的 漏端 入射 粒子 抵消 狭窄 局限 打击 | ||
【主权项】：
1.一种抗单粒子效应的触发器，其特征在于：所述触发器采用双互锁单元作为触发器的主从锁存器，维持双互锁单元在各种工艺下的电路拓扑结构和晶体管尺寸，而在版图上对主从双互锁锁存器的晶体管进行加固排布。
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