[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201811081440.9 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109192739B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 宋威;赵策;周斌;王东方;丁远奎;刘军;胡迎宾;李伟 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置,其中薄膜晶体管的制备方法包括:提供基板,并在基板上形成有源层;在基板以及有源层上形成金属层;对金属层进行处理,形成源电极、漏电极以及金属氧化物层,金属氧化物层覆盖源电极、漏电极和有源层,金属氧化物层将源电极和漏电极相互绝缘。通过对金属层进行处理从而同步形成源、漏电极和金属氧化物层,金属氧化物层既可以防止有源层在后续刻蚀工艺中被刻蚀液损伤,还可以防止外界的水氧对有源层造成损伤,因此,金属氧化物层的制备可以取代现有的刻蚀阻挡层和钝化层的制备,也就是无需再通过PECVD设备分步形成刻蚀阻挡层和钝化层,从而简化制备工艺、降低成本。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供基板,并在所述基板上形成有源层;在所述基板以及所述有源层上形成金属层;对所述金属层进行处理,形成源电极、漏电极以及金属氧化物层,所述金属氧化物层覆盖所述源电极、所述漏电极和所述有源层,所述金属氧化物层将所述源电极和所述漏电极相互绝缘。
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