[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法有效
| 申请号： | 201811084085.0 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109560012B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 犹原英司;角间央章;冲田有史;增井达哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;唐峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够掌握衬底的被处理面的中央侧及外周侧的处理结束时间点的衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置具备：衬底旋转部，所述衬底旋转部将衬底保持为水平并使其旋转；喷嘴，所述喷嘴向通过衬底旋转部进行旋转的衬底的被处理面供给处理液；拍摄部，所述拍摄部对包含多个对象区域的拍摄区域进行拍摄，所述对象区域是在向衬底供给了处理液时形成了液膜的区域；和检测部，所述检测部参照拍摄部的拍摄结果，基于多个对象区域的各自的亮度值的变化，来检测多个对象区域的各自的处理结束时间点。另外，拍摄区域至少包含被处理面的中央侧的区域和外周侧的区域作为多个对象区域。因此，能掌握衬底的被处理面的中央侧及外周侧的处理结束时间点。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，其具备：衬底旋转部，所述衬底旋转部将衬底保持为水平并使其旋转；喷嘴，所述喷嘴向通过所述衬底旋转部进行旋转的所述衬底的被处理面供给处理液；拍摄部，所述拍摄部对包含多个对象区域的拍摄区域进行拍摄，所述对象区域是在向所述衬底供给了所述处理液时所述被处理面的形成了液膜的区域；和检测部，所述检测部参照所述拍摄部的拍摄结果，基于所述多个对象区域的各自的亮度值的变化，来检测所述多个对象区域的各自的处理结束时间点，其中，所述拍摄区域至少包含所述被处理面的中央侧的区域和外周侧的区域作为所述多个对象区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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