[发明专利]深硅刻蚀方法、深硅槽结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201811087025.4 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN110534425B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 林源为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种深硅刻蚀方法、深硅槽结极及半导体器件。该方法包括：步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积；步骤2、开始通入刻蚀气体，以下电极功率P |
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| 搜索关键词： | 刻蚀 方法 深硅槽 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括：/n步骤1、向反应腔室内输入沉积气体，启辉进行沉积，沉积时间为t起始；/n步骤2、停止输入沉积气体，开始通入刻蚀气体，以下电极功率P起始进行物理轰击；/n步骤3、持续通入刻蚀气体，对基片进行化学刻蚀，在刻蚀时间t刻蚀后停止通入刻蚀气体；/n步骤4、判断当前循环次数是否达到总循环次数，是则结束工艺，否则循环执行所述步骤1至所述步骤3，其中，在循环次数达到初始循环次数之后，在执行所述步骤1时，将当前沉积时间在上一次执行的沉积时间的基础上增大，和/或在执行所述步骤2时，将当前下电极功率在上一次执行的下电极功率的基础上增大；在执行所述步骤3时，保持刻蚀时间不变。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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