[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811087101.1 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110911287B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 章国伟;李兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有焊垫且基底露出焊垫，基底上形成有再分布层，再分布层与焊垫电连接且露出部分焊垫；在再分布层和焊垫中的一个或两个的顶部上形成绝缘层；在基底上形成覆盖再分布层、绝缘层和焊垫的介电层；图形化介电层，在再分布层部分顶部上方的介电层内、以及焊垫部分顶部上方的介电层内形成贯穿介电层的第一开口。本发明在再分布层和焊垫中的一个或两个的顶部上形成绝缘层，由于绝缘层具备不导电的特性，因此在图形化介电层的过程中，绝缘层能够防止再分布层和焊垫同时与图形化介电层所采用的溶液相接触，从而防止再分布层和焊垫之间发生贾凡尼效应，进而提高封装结构的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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