[发明专利]IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法有效

专利信息
申请号: 201811088689.2 申请日: 2015-11-16
公开(公告)号: CN109347467B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 梅桂芳;安昱;牛化鹏;辛德峰 申请(专利权)人: 许继集团有限公司;国家电网有限公司;国网天津市电力公司;许继电气股份有限公司;西安许继电力电子技术有限公司
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/16
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 李清凡
地址: 461000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法,在控制IGBT导通时,给IGBT的驱动信号为:首先电压为V1,经过t1时间后,改变为V2,经过t2时间后,改变为V3;其中,V1<V2<V3,也就是说,控制导通的控制信号为一个阶梯波;同理,控制IGBT关断的控制信号也是一个阶梯波。通过该导通和关断控制方法,可以在IGBT导通和关断过程中控制各串联IGBT门极电压信号,并且根据每个IGBT的集‑射极电压调整相应的门极驱动电压输出,最终达到各串联IGBT集‑射极电压一致的目的。该方法采用模拟电路实现门极电压的输出波形控制和集‑射极电压至基极电压的双闭环反馈,实现方法简单,控制方便,成本低廉,抗干扰性能强。
搜索关键词: igbt 控制 方法
【主权项】:
1.一种IGBT导通控制方法,其特征在于,IGBT驱动控制信号上升沿为具有三个电压幅值、且电压幅值依次增大的阶梯波;所述三个电压幅值依次为:电压V1、电压V2和电压V3,其中,电压V1持续的时间为t1,电压V2持续的时间为t2,V1<V2<V3;通过采集IGBT门极电压Vge的电压,在IGBT门极电压Vge的电压上升过程中,当Vge等于设定动作电压时,使用Vge为第一模拟电路充电,并产生第一模拟电压,当第一模拟电压小于设定的第一参考电压时,产生V2,IGBT门极电压Vge的电压上升时,IGBT集‑射极电压Vce下降,在IGBT集‑射极电压Vce下降过程中,当Vce等于设定动作电压时,使用Vce为第二模拟电路充电,并产生第二模拟电压,当第二模拟电压小于设定的第二参考电压时,产生V3。
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