[发明专利]包括数据存储图案的半导体装置有效
| 申请号： | 201811092261.5 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109659430B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 金交燮;宣昌佑;吴圭焕;金俊;黄俊渊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 数据 存储 图案 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极，选择器结构限定位于选择器结构之间的空间；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，位于选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向不同且相交的第二方向上延伸，其中，绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。
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