[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201811093637.4 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109103110B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区桂*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生长栅氧化层以及位于所述栅氧化层表面且具有第一开口的多晶硅层；在所述外延层表面区域形成第二导电类型的体区；在所述栅氧化层极及所述多晶硅层上表面形成第一介质层；在所述第一开口内形成多个源区光刻胶，对所述第一介质层进行湿法腐蚀，以去除未被所述源区光刻胶覆盖的第一介质层以及被所述源区光刻胶覆盖的部分所述第一介质层，所保留的第一介质层为第二介质层；对所述栅氧化层进行干法刻蚀，去除所述源区光刻胶下方以外的所述栅氧化层，以形成阶梯状的源区注入窗口；通过注入及热驱入工艺，在所述体区表面区域形成第一导电类型的源区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的外延层；在所述外延层上表面依次生长栅氧化层以及位于所述栅氧化层表面且具有第一开口的多晶硅层；在所述外延层表面区域形成第二导电类型的体区；在所述栅氧化层极及所述多晶硅层上表面形成第一介质层；在所述第一开口内形成沿所述第一开口的长度方向上间隔排列的多个源区光刻胶；对所述第一介质层进行湿法腐蚀，以去除未被所述源区光刻胶覆盖的第一介质层以及被所述源区光刻胶覆盖的部分所述第一介质层，所保留的第一介质层为第二介质层；对所述栅氧化层进行干法刻蚀，去除所述源区光刻胶下方以外的所述栅氧化层，以形成阶梯状的源区注入窗口；在所述体区表面区域形成第一导电类型的源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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