[发明专利]一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法有效
| 申请号： | 201811095422.6 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109326549B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨涛 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法，用以简化微发光二极管器件制备的工艺复杂度，节省微发光二极管器件制备的成本。本申请实施例提供的一种微发光二极管转移的方法，该方法包括：形成具有多种凸起结构的衬底基板，不同种所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的具有不同的高度，所述凸起结构之间在垂直于所述衬底基板方向上的最大高度差小于所述微发光二极管的厚度；在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列；利用平面传送头，按照所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的高度由高到低的顺序，依次将所述凸起结构之上微发光二极管转移到接收基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 转移 方法 显示 面板 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.一种微发光二极管的转移方法，其特征在于，该方法包括：形成具有多种凸起结构的衬底基板，不同种所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的具有不同的高度，所述凸起结构之间在垂直于所述衬底基板方向上的最大高度差小于所述微发光二极管的厚度；在所述凸起结构之上形成微发光二极管阵列；利用平面传送头，按照所述凸起结构在垂直于所述衬底基板方向上的高度由高到低的顺序，依次将所述凸起结构之上微发光二极管转移到接收基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
