[发明专利]一种基于n型硅片的异质结太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开一种基于n型硅片的异质结太阳能电池，包括n型硅片、正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜、反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜、正面薄膜导电层和反面薄膜导电层，正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中至少一面为氧化锌薄膜导电层，其中，n型硅片正面依次沉积正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜和正面薄膜导电层，其背面依次沉积反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜和反面薄膜导电层。本发明的异质结太阳能电池的制作方法为完全干式工艺，干净卫生，同时可以实施全自动化生产减省人手，且真空镀膜的制程成本也比较低，大大提高本发明的市场应用价值。

主权项

1.一种基于n型硅片的异质结太阳能电池，其特征在于，包括n型硅片、正面i层硅薄膜、正面p层硅薄膜、反面i层硅薄膜、反面n层硅薄膜、正面薄膜导电层和反面薄膜导电层，所述正面薄膜导电层和反面薄膜导电层中至少之一为氧化锌薄膜导电层，其中：所述n型硅片正面通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有所述正面i层硅薄膜，在所述正面i层硅薄膜上通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有所述正面p层硅薄膜，在所述正面p层硅薄膜上通过化学气相沉积CVD法沉积有所述正面薄膜导电层，所述n硅片背面通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积有所述反面i硅薄膜，在所述反面i硅薄膜上通过等离子体化学气相沉积PECVD法沉积所述n层硅薄膜，在所述n层硅薄膜上通过化学气相CVD法沉积有所述反面薄膜导电层，若正面薄膜导电层与反面薄膜导电层中的其中一层为非氧化锌薄膜导电层，则非氧化锌薄膜导电层的一层通过磁控溅射PVD法沉积，所述等离子体化学气相沉积PECVD法、化学气相沉积LPCVD法、磁控溅射PVD法均在真空环境下进行。