[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811096907.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109244139B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李永叶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例半导体装置可以包括：衬底，包括基底衬底、基底衬底上的第一半导体层以及第一半导体层上的第二半导体层；在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一和第二鳍状结构，每一鳍状结构至少包括第二半导体层；在所述直线两侧绕第一和第二鳍状结构形成的第一隔离部；分别基于第一和第二鳍状结构在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中，第一和第二FinFET包括在第一隔离部上形成的分别与第一和第二鳍状结构相交的第一和第二栅堆叠；以及第一和第二鳍状结构之间、与第一和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部，其中第二隔离部与第一和第二栅堆叠中至少之一平行延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底，所述衬底包括基底衬底、设置在基底衬底上的第一半导体层以及设置在第一半导体层上的第二半导体层；在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一鳍状结构和第二鳍状结构，第一鳍状结构和第二鳍状结构中的每一个至少包括第二半导体层；在所述直线两侧绕第一鳍状结构和第二鳍状结构形成的第一隔离部；基于第一鳍状结构在衬底上形成的第一鳍式场效应晶体管“FinFET”和基于第二鳍状结构在衬底上形成的第二FinFET，其中，第一FinFET包括在第一隔离部上形成的与第一鳍状结构相交的第一栅堆叠，第二FinFET包括在第一隔离部上形成的与第二鳍状结构相交的第二栅堆叠；以及第一鳍状结构与第二鳍状结构之间、与第一鳍状结构和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部，其中第二隔离部与第一栅堆叠和第二栅堆叠中至少之一平行延伸。
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