[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811098957.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109524452A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 山口元男 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括具有主表面的半导体基板、以及被设置在半导体基板的主表面上的元件形成区和外周耐压区二者。元件形成区包括用于形成电力元件的单元区以及用于形成至少一个电路元件的电路元件区。电路元件区被插入在外周耐压区和单元区之间。外周耐压区包括与元件形成区邻接的边界区。在所述边界区中，设置有一个或多个耐压区。所述一个或多个耐压区中的至少一个具有比所述单元区和所述电路元件区二者的耐压都低的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压区 电路元件 元件形成区 单元区 外周 半导体基板 半导体器件 边界区 主表面 耐压 电力元件 邻接 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板具有主表面；第一半导体区，所述第一半导体区为第一导电类型并且被设置在所述半导体基板的所述主表面上；以及元件形成区和外周耐压区，所述元件形成区和外周耐压区二者被设置在所述半导体基板的所述主表面上,其中，所述元件形成区包括单元区和电路元件区二者，所述单元区包括第二半导体区，所述第二半导体区为第二导电类型，并且被设置在所述第一半导体区的表面区中以形成电力元件，所述电路元件区包括第三半导体区，所述第三半导体区为所述第二导电类型，并且被设置在所述第一半导体区的所述表面区中以形成至少一个电路元件，所述电路元件区被插入在所述外周耐压区和所述单元区之间，所述外周耐压区包括与所述元件形成区邻接的边界区，所述边界区包括第四半导体区，所述第四半导体区为所述第二导电类型并且被设置在所述第一半导体区的所述表面区中，在所述第四半导体区中，设置有一个或多个耐压区，并且所述一个或多个耐压区中的至少一个具有比所述单元区的耐压和所述电路元件区的耐压二者都低的耐压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装，未经株式会社电装许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811098957.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：一种GaN基高压整流共振隧穿二极管
- 同类专利
- 专利分类
