[发明专利]光阀式掩膜板有效
| 申请号： | 201811100602.9 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109212891B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 沐俊应;李相烨 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G02F1/13;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本揭示提供了一种光阀式掩膜板。光阀式掩膜板包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极以及光阀介质。第二基板与第一基板相对设置。第一电极设置于第一基板的下表面上。第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极。第二电极设置于第二基板的上表面上。第二电极与第一电极相对设置。光阀介质设置于第一电极与第二电极之间。本揭示能通过具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极，调整像素尺寸及控制分辨率，适用于各种具有不同像素设计的电子产品。 | ||
| 搜索关键词： | 透射性 子电极 第一电极 第二电极 第二基板 第一基板 光阀 光阀介质 相对设置 掩膜板 像素设计 上表面 下表面 分辨率 像素 掩膜 电子产品 | ||
【主权项】：
1.一种光阀式掩膜板，其特征在于，所述光阀式掩膜板包括：/n第一基板；/n第二基板，与所述第一基板相对设置；/n第一电极，设置于所述第一基板的下表面上，所述第一电极包括具有透射性的至少一第一子电极、具有透射性的至少一第二子电极和不具有透射性的至少一第三子电极；/n第二电极，设置于所述第二基板的上表面上，所述第二电极与所述第一电极相对设置；以及/n光阀介质，设置于所述第一电极与所述第二电极之间；/n其中所述至少一第一子电极构成的第一像素的面积与所述至少一第二子电极构成的第二像素的面积不同。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
