[发明专利]双极性接面型晶体管、其形成方法以及相关的集成电路有效
| 申请号： | 201811101072.X | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109585539B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈奕寰;周建志;郑光茗;林孟汉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331;H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，提供一种双极性接面型晶体管(BJT)。此双极性接面型晶体管可包括被配置在一半导体基板内的集极区。被配置在半导体基板内，并且被布置在集极区内的基极区。被配置在半导体基板内，并且被布置在基极区内的射极区。被配置在半导体基板的上表面上，并且将半导体基板的上表面与最下方的一金属内部互连层分隔开的金属前介电层。被布置在射极区上以及金属前介电层内的多个第一凹陷防止柱状物，其中每一个第一凹陷防止柱状物包括导电且电性浮接的冗余栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 接面型 晶体管 形成 方法 以及 相关 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种双极性接面型晶体管，包括：一集极区，设置在一半导体基板内；一基极区，设置在上述半导体基板内，并且位在上述集极区内；一射极区，设置在上述半导体基板内，并且位在上述基极区内；一介电层，设置在上述半导体基板的上表面上，并且将上述半导体基板的上述上表面与最下方的一金属内部互连层分隔开；以及多个第一柱状物结构，设置在上述射极区上以及上述介电层内。
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