[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811102621.5 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110931557A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制备方法，其半导体衬底中形成有沿第二方向延伸的第二沟槽，且第二沟槽两侧交错排布有U型鳍片，所述U型鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，栅极线填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方向延伸，埋入式导线填充在沿第二方向延伸的第二沟槽中，由此使得所述U型鳍片中的两个第一源/漏区分别与第二源/漏区形成了双垂直L型沟道，有利于增加有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度；且由于第二沟槽两侧的U型鳍片交错排布，能改善相邻的有源区之间的耦合效应，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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