[发明专利]一种制备有序金纳米帽阵列的方法在审
申请号: | 201811115626.1 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109234681A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 太仓弘潞新材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C14/30;C23C28/00;C25D11/10;C25D11/12;C25D11/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人: | 白凯园 |
地址: | 215400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备有序金纳米帽阵列的方法,步骤如下:将高纯铝箔置于丙酮中超声以去除表面油污,然后置于乙醇和高氯酸混合溶液中进行电化学抛光,经去离子水冲洗并氮气吹干后,得到表面呈光滑镜面的铝箔;将抛光后的铝箔置于草酸溶液中,在直流电压下进行阳极氧化,温度维持在6‑8℃,接着将样品置于铬酸和磷酸等体积混合溶液中3‑4h,随后再次进行阳极氧化,得到高度有序的PAA模板;将样品置于饱和氯化铜溶液中去除铝基底,使PAA的阻挡层暴露出来,利用电子束蒸发镀膜机将金沉积在PAA阻挡层表面,即得。该方法制备的有序金纳米帽阵列对CV分子具有最强的SERS信号增强效果,有望被应用于水产品中违禁药物的痕量检测。 | ||
搜索关键词: | 制备 铝箔 阳极氧化 去除 电子束蒸发镀膜机 饱和氯化铜溶液 电化学抛光 混合溶液中 阻挡层表面 表面油污 草酸溶液 氮气吹干 高纯铝箔 高度有序 痕量检测 去离子水 体积混合 违禁药物 温度维持 直流电压 高氯酸 金沉积 阻挡层 抛光 磷酸 乙醇 丙酮 超声 铬酸 铝基 光滑 冲洗 水产品 暴露 应用 | ||
【主权项】:
1.一种制备有序金纳米帽阵列的方法,其特征在于包括如下步骤:将高纯铝箔置于丙酮中超声清洗以去除表面油污,然后置于体积比为6∶1的乙醇和高氯酸混合溶液中进行电化学抛光,电压为12‑14V,时间为6‑8min,经去离子水冲洗并氮气吹干后,得到表面呈光滑镜面的铝箔;将抛光后的铝箔置于浓度为0.5mol/L的草酸溶液中,在直流电压34‑38V下进行阳极氧化2.5‑3.5h,温度维持在6‑8℃,接着将样品置于60‑70℃的铬酸和磷酸等体积混合溶液中3‑4h以去除之前制备的氧化铝层,随后再次进行阳极氧化,时间和条件与第一次阳极氧化时相同,从而得到高度有序的PAA模板;将样品置于饱和氯化铜溶液中去除铝基底,使PAA的阻挡层暴露出来,利用电子束蒸发镀膜机将金沉积在PAA阻挡层表面,真空度为4×10−3Pa,沉积速率为0.3‑0.4Å/s,沉积厚度为28nm,即得;各原料均为重量份。
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