[发明专利]一种悬浮梁-膜结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811115680.6 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109250682A 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 尚瑛琦;张林超;齐虹;李玉玲;吴作飞;李鑫;田雷;张岩;张鹏;陈静 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 毕雅凤
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种悬浮梁‑膜结构的制备方法,属于压力传感器制备领域。解决了采用光刻胶或聚酰亚胺作为牺牲层制备悬浮梁‑膜表面不光滑,导致悬浮梁‑膜的长期稳定性和一致性差及采用硅片的湿法腐蚀工艺制备悬浮梁‑膜结构边缘不整齐,容易断裂且悬浮梁‑膜材料受限的问题。本发明利用生长出来的多孔硅层作为牺牲层,制备出来的多孔硅层表面光滑,因此,长在其上的悬浮梁‑膜结构层均匀且光滑,保证了悬浮梁‑膜结构层的长期稳定性及一致性;另一方面,只对多孔硅层释放窗口和悬浮梁‑膜结构层下方所对应的多孔硅层进行腐蚀,不腐蚀悬浮梁‑膜结构层,因此,使其制备的悬浮梁‑膜结构层更加的整齐,不易断裂。本发明主要用于传感器的制备。
搜索关键词: 悬浮梁 制备 膜结构层 多孔硅层 膜结构 光滑 长期稳定性 牺牲层 断裂 腐蚀 整齐 多孔硅层表面 压力传感器 工艺制备 聚酰亚胺 湿法腐蚀 光刻胶 膜表面 膜材料 传感器 硅片 受限 释放 生长 保证
【主权项】:
1.一种悬浮梁‑膜结构的制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:步骤一、采用P型单晶硅片作为衬底基片(1),并对该衬底基片(1)进行清洗;步骤二、在清洗后的衬底基片(1)上生长出氧化层(2);步骤三、在氧化层(2)上生长出钝化层(3);步骤四、对钝化层(3)和氧化层(2)进行光刻,使其在钝化层(3)和氧化层(2)上形成悬浮梁‑膜释放区(4);步骤五、使悬浮梁‑膜释放区(4)下方所对应的衬底基片(1)浅表层形成多孔硅层(5);步骤六、在多孔硅层(5)上方的悬浮梁‑膜释放区(4)内生长出悬浮梁‑膜结构层(6);步骤七、对悬浮梁‑膜结构层(6)进行光刻,使其在悬浮梁‑膜结构层(6)的左右两侧上形成两个多孔硅层释放窗口(7);步骤八、腐蚀掉多孔硅层(5),在悬浮梁‑膜结构层(6)和衬底基片(1)之间形成多孔硅层释放区(8),完成悬浮梁‑膜结构的制备。
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