[发明专利]半导体结构，半导体结构制备方法及其用途在审
| 申请号： | 201811117587.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110943070A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 吴公一;徐朋辉;陈龙阳 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，半导体结构制备方法及其用途，所述制备方法包括，提供一衬底，所述衬底中嵌有至少一个第一金属结构；所述第一金属结构顶面与所述衬底顶面处于同一平面；于所述衬底上形成一层间介质层；于所述层间介质层中形成至少一个沟槽，所述沟槽显露出所述第一金属结构顶面；于所述沟槽侧壁形成一扩散阻挡层；以及于形成有所述扩散阻挡层的所述沟槽中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构直接接合以实现电连接。利用本发明，通过去除底部的扩散阻挡层，不仅降低互连接触电阻，减少RC延迟，而且还能保护层间介质层，提高通孔填充质量，另外还能采用绝缘材料作为扩散阻挡层，提高器件的电性能稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
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