[发明专利]高频三极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高频三极管及其制作方法。所述制作方法获得的高频三极管包括衬底，位于所述衬底的上表面的外延层，所述外延层内形成有外基区和基区，所述基区内还形成有发射区；位于所述外延层的上表面的多晶硅岛，所述多晶硅岛包括第一基极多晶硅；位于所述外延层的上表面的介质层，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的发射极接触孔，所述发射极接触孔内填充有发射极多晶硅，所述发射极多晶硅的上表面覆盖有第二金属硅化物层；位于所述介质层的上表面的基极和发射极；位于所述衬底的下表面的集电极。本发明所述高频三极管结构不仅具有超高的工作频率，而且具有更低的器件制作成本，更高的集成度，更强的电流能力。

主权项

1.一种高频三极管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层，所述外延层内形成有第二导电类型的外基区和连接所述外基区的第二导电类型的基区，所述外基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度高于所述基区中第二导电类型的杂质的掺杂浓度；所述基区内还形成有第一导电类型的发射区；位于所述外延层的上表面的多晶硅岛，所述多晶硅岛包括与所述外基区连接且掺杂第二导电类型的杂质的第一基极多晶硅；位于所述外延层的上表面且厚度大于或等于所述多晶硅岛的高度的介质层，所述介质层内形成有贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔包括对应所述发射区的发射极接触孔，所述发射极接触孔内填充有掺杂第一导电类型的杂质的发射极多晶硅，所述发射极多晶硅的上表面覆盖有第二金属硅化物层；位于所述介质层的上表面的基极和发射极，所述基极与所述多晶硅岛连接，所述发射极与所述发射极多晶硅连接；位于所述衬底的下表面的集电极。