[发明专利]SRAM读取延时控制电路及SRAM有效
| 申请号： | 201811124026.1 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110956990B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王林 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM读取延时控制电路及SRAM。所述SRAM读取延时控制电路包括：延时模块、电源开关模块以及开关控制模块，其中，所述延时模块，通过所述电源开关模块连接至第一电压域电源，用于产生读取延时时间；所述电源开关模块，受所述开关控制模块的控制，用于调节所述延时模块的供电端电压，以调节所述延时模块产生的读取延时时间；所述开关控制模块，用于调节所述电源开关模块的驱动能力。本发明能够在感应放大器所在电压域的电源电压高于存储阵列所在电压域的电源电压时，增大SRAM的读取余量，提高SRAM的芯片良率。 | ||
| 搜索关键词： | sram 读取 延时 控制电路 | ||
【主权项】：
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