[发明专利]一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法有效
| 申请号： | 201811125651.8 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109559981B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 陶永洪;高秀秀;高建宁;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 李雁翔;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法，是在高透光率晶圆背面形成低透光率膜，进行常规光刻过程，然后去除所述低透光率膜。该方法可以显著降低透光率，使高透光率晶圆传送至曝光台，从而完成一道关键性的光刻工艺。本发明的方法低成本，高效率，工艺简单，不影响晶圆的质量，与显影液互不影响，不受前烘和坚膜温度影响，不污染机台且膜容易去除；是一种经济简单、普适性强的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 透光率 光刻 对位 无法 识别 方法 | ||
【主权项】：
1.一种解决高透光率晶圆在光刻对位中无法识别的方法，其特征在于包括以下步骤：1)于高透光率晶圆背面形成低透光率膜；2)进行光刻过程；3)去除所述低透光率膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
