[发明专利]3D存储器件在审
| 申请号： | 201811130282.1 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109119425A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 骆中伟;何佳;韩玉辉;刘藩东;华文宇;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件。该3D存储器件包括：衬底；位于所述衬底上方的栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个第一层间绝缘层；沿垂直于所述衬底的方向穿过所述栅叠层结构的绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个第二层间绝缘层；沿垂直于所述衬底的方向穿过所述栅叠层结构的隔离层，所述隔离层环绕所述绝缘叠层；贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱；以及贯穿所述绝缘叠层结构的导电通道，其中，所述隔离层的外侧壁的至少一部分为平滑曲面。该3D存储器件采用平滑曲面的隔离层，从而可以避免隔离层中形成孔洞导致栅极导体与导电通道之间的短路，可以提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 栅叠层结构 存储器件 隔离层 绝缘叠层 衬底 导电通道 交替堆叠 栅极导体 绝缘层 垂直 孔洞 穿过 层间绝缘层 平滑曲面 第一层 外侧壁 牺牲层 短路 贯穿 平滑 沟道 良率 环绕 申请 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，包括：衬底；位于所述衬底上方的栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个第一层间绝缘层；沿垂直于所述衬底的方向穿过所述栅叠层结构的绝缘叠层结构，所述绝缘叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层和多个第二层间绝缘层；沿垂直于所述衬底的方向穿过所述栅叠层结构的隔离层，所述隔离层环绕所述绝缘叠层；贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱；以及贯穿所述绝缘叠层结构的导电通道，其中，所述隔离层的外侧壁的至少一部分为平滑曲面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
