[发明专利]多光谱OLED器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811132489.2 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN110957424B 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 李崇;赵鑫栋;张兆超 申请(专利权)人: 江苏三月科技股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 苏萌;杨金娟
地址: 214112 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种多光谱OLED器件,其由下至上依次包括第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域以及第二电极,其中空穴传输区域包括阳极界面缓冲层和空穴传输层,并且阳极界面缓冲层中传输空穴的主体材料的HOMO能级大于与其邻接的空穴传输层材料的HOMO能级,这样可以降低或消除缓冲膜层到空穴传输层材料膜层界面载流子传导势垒,提升阳极界面缓冲层与空穴传输层材料的界面稳定性,进而提升多光谱OLED器件的效率以及驱动稳定性,从而使得该多光谱OLED器件具有高效率和长寿命。本发明还涉及一种制备所述多光谱OLED器件的方法。
搜索关键词: 光谱 oled 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
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