[发明专利]形成半导体器件的方法以及封装件有效
| 申请号： | 201811132795.6 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109786315B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 胡致嘉;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例涉及一种形成半导体器件的方法，包括将第一器件管芯与第二器件管芯接合。第二器件管芯位于第一器件管芯上方。在包括第一器件管芯和第二器件管芯的组合结构中形成无源器件。无源器件包括第一端和第二端。在第一器件管芯上方形成间隙填充材料，间隙填充材料包括位于第二器件管芯的相对侧上的部分。该方法还包括实施平坦化以露出第二器件管芯，其中，间隙填充材料的剩余部分形成隔离区，形成穿过隔离区的第一贯通孔和第二贯通孔，以电连接至第一器件管芯，并且形成电连接至无源器件的第一端和第二端的第一电连接件和第二电连接件。本发明的实施例还提供了另一种形成半导体器件的方法以及一种封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 以及 封装 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：将第一器件管芯与第二器件管芯接合，其中，所述第二器件管芯位于所述第一器件管芯上方，并且其中，第一无源器件形成在包括所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的组合结构中，并且所述第一无源器件包括第一端和第二端；在所述第一器件管芯上方填充间隙填充材料，其中，所述间隙填充材料包括位于所述第二器件管芯的相对侧上的部分；实施平坦化以露出所述第二器件管芯，其中，所述间隙填充材料的剩余部分形成隔离区；形成穿过所述隔离区的第一贯通孔和第二贯通孔，以电连接至所述第一器件管芯；以及形成第一电连接件和第二电连接件，以电连接至所述第一无源器件的第一端和第二端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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