[发明专利]闪存结构及其控制方法

摘要

本发明涉及一种闪存结构，包括：在衬底上形成的纳米线，沿所述纳米线的延伸方向，所述纳米线上设置有沟道区以及位于所述沟道区两侧的源端和漏端，所述源端和所述漏端分别与所述衬底中的源极区和漏极区连接；以及第一围栅结构和第二围栅结构，沿垂直于所述纳米线的延伸方向，所述第一围栅结构和所述第二围栅结构相互隔离并围合设置于所述沟道区的两侧。本申请利用闪存结构的闪存器件可以较双位和单位存储方式的闪存器件在存储容量方面得到提高。在闪存结构中，沟道区设计在衬底上的纳米线上，从而第一围栅结构和/或第二围栅结构均对沟道区具有良好静电控制能力，有利于抵御在器件尺寸缩小时遇到的短沟道效应及栅极泄漏的问题。

主权项

1.一种闪存结构，其特征在于，包括：在衬底上形成的纳米线，沿所述纳米线的延伸方向，所述纳米线上设置有沟道区以及位于所述沟道区两侧的源端和漏端，所述源端和所述漏端分别与所述衬底中的源极区和漏极区连接；以及第一围栅结构和第二围栅结构，沿垂直于所述纳米线的延伸方向，所述第一围栅结构和所述第二围栅结构相互隔离并围合设置于所述沟道区的两侧。