[发明专利]光半导体装置在审
| 申请号： | 201811135661.X | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109616566A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 木暮靖男;小川信一;矢岛聡 | 申请（专利权）人： | 豪雅冠得股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 青岛智地领创专利代理有限公司 37252 | 代理人： | 肖峰;陈海滨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光半导体装置，其在发挥优良的耐热性和耐UV性的同时，可以极大地抑制与光半导体元件电性连接的引线的断线。光半导体装置，具有：光半导体元件；厚度为1～300μm的透光性缓冲层，所述透光性缓冲层覆盖所述光半导体元件的光射出面的至少一部分，包含高硬度硅酮树脂硬化物；以及柔软性封装层，所述柔软性封装层覆盖所述光半导体元件及透光性缓冲层，包含与所述透光性缓冲层相比硬度低的柔软性硅酮树脂硬化物。 | ||
| 搜索关键词： | 光半导体元件 透光性缓冲层 光半导体装置 柔软性 硅酮树脂 封装层 硬化物 耐热性 电性连接 光射出面 高硬度 断线 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种光半导体装置，其特征在于，具有：光半导体元件；厚度为1～300μm的透光性缓冲层，所述透光性缓冲层覆盖所述光半导体元件的光射出面的至少一部分，包含高硬度硅酮树脂硬化物；以及柔软性封装层，所述柔软性封装层覆盖所述光半导体元件及透光性缓冲层，包含比所述透光性缓冲层硬度低的柔软性硅酮树脂硬化物。
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