[发明专利]聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811135906.9 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109438739A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 唐月方 | 申请（专利权）人： | 苏州市星辰科技有限公司 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C09J7/40;C09D165/00;C09D183/04;C09D5/24;C09D7/65;C08L23/06;C08L67/02 |
| 代理公司： | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人： | 王真 |
| 地址： | 215103 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种聚噻吩防静电硅系离型膜的制备方法，该聚噻吩防静电硅系离型膜，包括基膜层和防静电离型层，基膜层为25～150微米的透明膜，在基膜层的表面填充有纳米级气相白炭黑，基膜层的外表面涂布贴合有防静电离型层；防静电离型层的成份中含有聚噻吩。用的聚噻吩防静电液技术；由于其结构单元为五中心六电子的大π键，有6个π电子，符合休克尔规则，六电子均能离域，电子离域流动，而结构单元之间的单键，由于诱导效应和δ‑π超共轭效应的存在，此单键有部分双键的特征，使整个体系拥有防静电能力；聚噻吩形成的轨道为圆/线交替型的，比起一般高分子防静电液线性轨道，由于圆形部分有两条电子轨道，其防静电能力更好且不易被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 防静电 聚噻吩 基膜层 离型层 离型膜 硅系 防静电液 单键 制备 纳米级气相白炭黑 外表面涂布 表面填充 电子轨道 电子离域 共轭效应 线性轨道 诱导效应 透明膜 离域 双键 贴合 休克 轨道 流动 | ||
【主权项】：
1.一种聚噻吩防静电硅系离型膜，包括基膜层和防静电离型层，所述基膜层为25～150微米的透明膜，在所述基膜层的表面填充有纳米级气相白炭黑，所述基膜层的外表面涂布贴合有防静电离型层；其特征在于，所述防静电离型层的涂布液成份中含有聚噻吩。
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