[发明专利]3D存储器件在审
| 申请号： | 201811139601.5 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109119426A | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 胡斌;肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573;H01L27/11578;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 范芳茗;刘静 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件，其特征在于，包括：CMOS电路，包括第一键合面，以及在第一键合面上暴露的第一外部焊盘；以及存储单元阵列，包括第二键合面，以及在第二键合面上暴露的第二外部焊盘，其中，CMOS电路的第一键合面与存储单元阵列的第二键合面彼此接触，第一外部焊盘与第二外部焊盘彼此键合，从而实现CMOS电路和存储单元阵列之间的电连接，CMOS电路还包括在第一键合面上形成的多个第一凹槽，和/或存储单元阵列还包括在第二键合面上形成的多个第二凹槽，多个第一凹槽和多个第二凹槽形成散热通道。本发明通过在CMOS电路和存储单元阵列的键合表面上提供散热通道，可以提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元阵列 外部焊盘 键合面 键合 存储器件 散热通道 凹槽形成 彼此键合 键合表面 电连接 暴露 良率 申请 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：CMOS电路，包括第一键合面，以及在所述第一键合面上暴露的第一外部焊盘；以及存储单元阵列，包括第二键合面，以及在所述第二键合面上暴露的第二外部焊盘，其中，所述CMOS电路的第一键合面与所述存储单元阵列的第二键合面彼此接触，所述第一外部焊盘与所述第二外部焊盘彼此键合，从而实现所述CMOS电路和所述存储单元阵列之间的电连接，所述CMOS电路还包括在所述第一键合面上形成的多个第一凹槽，和/或所述存储单元阵列还包括在所述第二键合面上形成的多个第二凹槽，所述多个第一凹槽和所述多个第二凹槽形成散热通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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