[发明专利]扩散阻障结构、导电迭层及其制法有效
| 申请号： | 201811140140.3 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110970393B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 卫子健;王伟彦 | 申请（专利权）人： | 卫子健 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 | 代理人： | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种扩散阻障结构、导电迭层及其制法。导电迭层包括一基板、一扩散阻障结构以及一导电层，扩散阻障结构形成于基板和导电层之间，扩散阻障结构包括一非连续改质层以及一阻障层，非连续改质层设置于所述基板上，所述非连续改质层的材料是一具有亲水基的高分子；阻障层设置于所述基板和所述非连续改质层上，所述阻障层的材料至少包括一自修复高分子。扩散阻障结构可阻障金属原子的扩散，避免导电迭层在加工热处理时，因温度升高导致导电迭层的特性退化或毁损。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 阻障 结构 导电 及其 制法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卫子健，未经卫子健许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811140140.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
