[发明专利]制备非晶硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811140963.6 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN110970287B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 宋利娟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制备非晶硅薄膜的方法，包括：将基底放入反应腔室内；向所述反应腔室通入第一气体，对所述基底进行等离子体处理；向所述反应腔室内通入硅源气体，采用等离子体增强化学气相沉积工艺，以第一沉积速率沉积第一非晶硅层，并在所述第一非晶硅层上以第二沉积速率沉积第二非晶硅层，其中，所述第一沉积速率低于所述第二沉积速率。本发明的制备方法可减少基底与非晶硅薄膜之间的界面缺陷，减少突起的形成和剥落的产生，改善非晶硅薄膜与基底的粘附性，从而在图案化过程中实现精准的图案转移。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 非晶硅 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
