[发明专利]形成半导体结构的部件的方法有效
| 申请号： | 201811146888.4 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109616406B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 陈玺中;谢昀谕;赵家忻;许立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种形成半导体结构的部件的方法，包括在目标层上方形成掩模层。对掩模层实施第一蚀刻工艺，以在掩模层中形成第一开口和第二开口。对掩模层实施第二蚀刻工艺，以减小第一开口和第二开口之间的端至端间隔。第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺具有不同的各向异性特性。将掩模层的图案转印至目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 部件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的部件的方法，包括：在目标层上方形成掩模层；对所述掩模层实施第一蚀刻工艺，以在所述掩模层中形成第一开口和第二开口；对所述掩模层实施第二蚀刻工艺以减小所述第一开口和所述第二开口之间的端至端间隔，所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺具有不同的各向异性特性；以及将所述掩模层的图案转印至所述目标层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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