[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号： | 201811150939.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109300990B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 黄勇潮;程磊磊;成军;刘军;张扬;王庆贺;王东方;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，涉及显示技术领域，为解决顶栅结构的薄膜晶体管存在的短沟道效应的问题而发明。该薄膜晶体管，包括衬底基板、覆盖于衬底基板上的有源层、覆盖于有源层上的栅绝缘层以及覆盖于栅绝缘层上的栅极，有源层包括沟道区以及位于沟道区两侧、且均与沟道区相连接的导体化区，衬底基板上设有放置部，放置部用于放置沟道区，以使沟道区与位于沟道区两侧的导体化区之间具有高度差。本发明可用于液晶显示面板、OLED显示面板中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括衬底基板、覆盖于所述衬底基板上的有源层、覆盖于所述有源层上的栅绝缘层以及覆盖于所述栅绝缘层上的栅极，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧、且均与所述沟道区相连接的导体化区，其特征在于，所述衬底基板上设有放置部，所述放置部用于放置所述沟道区，以使所述沟道区与位于所述沟道区两侧的导体化区之间具有高度差。
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