[发明专利]半导体器件、其生产方法和层叠体在审
申请号: | 201811153534.2 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109599371A | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 安田浩之;菅生道博 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开半导体器件、其生产方法和层叠体。本文公开了半导体器件,其包括:支持体;在支持体上形成的双层粘合剂树脂层;在粘合剂树脂层上形成的绝缘层和再分布层;芯片层和成型树脂层,其中粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B,从支持体侧依次提供树脂层A和树脂层B,能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。 | ||
搜索关键词: | 树脂层 半导体器件 支持体 树脂 粘合剂树脂层 热塑性树脂 非有机硅 层叠体 光照射 绝缘层 玻璃化转变 双层粘合剂 分解 成型树脂 依次提供 再分布层 稠合环 芯片层 主链 生产 | ||
【主权项】:
1.半导体器件,其包括:支持体;在所述支持体上形成的双层粘合剂树脂层;在所述粘合剂树脂层上形成的绝缘层和再分布层;芯片层和成型树脂层,其中所述粘合剂树脂层包括含有能通过光照射分解的树脂的树脂层A和含有非有机硅系热塑性树脂的树脂层B,从所述支持体侧依次提供所述树脂层A和所述树脂层B,所述能通过光照射分解的树脂为在其主链中含有稠合环的树脂和所述非有机硅系热塑性树脂具有200℃以上的玻璃化转变温度。
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