[发明专利]一种检测LED芯片的仪器和方法有效
| 申请号： | 201811155795.8 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109490750B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 任荣斌;汤乐明;李东明;何绍勇;吴乾 | 申请（专利权）人： | 广州市鸿利秉一光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01M11/02 |
| 代理公司： | 广州慧宇中诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44433 | 代理人： | 刘各慧 |
| 地址： | 510890 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测LED芯片的仪器及方法，仪器包括紫外激发光源、被测LED芯片测试区域和电特性检测仪，被测LED芯片测试区域与紫外激发光源相对设置且位于紫外激发光源的辐射范围内，电特性检测仪与被测LED芯片测试区域电连接。方法为：1)紫外激发光源照射被测LED芯片，被测LED芯片的波长大于紫外激发光源的波长；2)测量被测LED芯片的电特性值；3)根据被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系确定被测LED芯片的测试情况。本发明无需外接电源即可实现LED芯片的检测，同时可准确地检测LED芯片的异常情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 led 芯片 仪器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测LED芯片的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)紫外激发光源照射被测LED芯片，被测LED芯片的波长大于紫外激发光源的波长；2)测量被测LED芯片的电特性值，电特性值为电压值和/或电流值；3)根据被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系确定被测LED芯片的测试情况，被测LED芯片电特性值与紫外激发光源辐射照度值对应关系包括被测LED芯片死灯区域、被测LED芯片漏电区域和被测LED芯片正常导通区域；被测LED芯片死灯区域为LED芯片死灯时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线；被测LED芯片漏电区域位于LED芯片死灯时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线、LED芯片正常导通时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线之间区域；被测LED芯片正常导通区域为LED芯片导通时LED芯片的电特性与紫外激发光源辐射照度的对应关系曲线。
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