[发明专利]一种鳍式超结功率半导体晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811155824.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109256428B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 刘斯扬;童鑫;钊雪会;徐浩;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种鳍式超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层内两侧设有柱状第一P型体区和第二P型体区，在第二P型体区表面设有第一N型重掺杂源区，在N型外延层顶部设有第三P型体区，该区表面两端设有第二N型重掺杂源区，第三P型体区两侧分别设有栅极多晶硅，且栅极多晶硅下方覆盖第二P型体区，柱状第一P型体区、第二P型体区及部分N型外延层低于第三P型体区下表面。第二P型体区表面的第一N型重掺杂源区止于栅氧化层的外侧边界，第一N型重掺杂源区与第二P型体区向晶体管外侧同步外凸并呈脉冲形状。本发明器件在保证击穿电压的前提下进一步降低导通电阻，降低器件EMI噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 鳍式超结 功率 半导体 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式超结功率半导体晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有N型外延层(2)，在N型外延层(2)内的两侧分别设有柱状第一P型体区(3)，在N型外延层(2)内的两侧还分别设有第二P型体区(4)，位于同侧的柱状第一P型体区(3)和第二P型体区(4)相触及，在第二P型体区(4)表面设有第一N型重掺杂源区(6)，在N型外延层(2)的顶部设有第三P型体区(5)，在第三P型体区(5)表面两端分别设有第二N型重掺杂源区(7)，其特征在于，第三P型体区(5)的两侧分别设有栅极多晶硅(10)，且所述栅极多晶硅(10)的下方覆盖所述第二P型体区(4)，在栅极多晶硅(10)与第二P型体区(4)、N型外延层(2)及第三P型体区(5)之间设有栅氧化层(9)，所述柱状第一P型体区(3)、第二P型体区(4)及部分N型外延层(2)低于第三P型体区(5)的下表面。
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