[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构制作方法，应用于存储器的电容接触节点的制作技术领域，方法至少包括：在衬底上形成多个位线结构；在衬底上形成多个介质墙，介质墙的上表面高于位线结构的上表面，且介质墙延伸覆盖其与位线结构交叠的部分；在位线结构和介质墙所围成的电容存储节点窗口中制作绝缘结构，以形成分离的电容存储节点窗口；在分离的电容存储节点窗口中沉积导电材料层；回蚀刻导电材料层，在绝缘结构的两侧形成电容接触节点结构。以及提供一种半导体结构。应用本发明实施例，提高电容接触节点结构制作的良率，从而避免了现有技术中蚀刻存储节点之间较厚的多晶硅层，导致刻蚀后的图形容易产生偏差，从而影响电路的导电特性的问题。