[发明专利]一种消除Polycide MOS工艺制程中WSix剥落的工艺和版图设计方法在审
| 申请号： | 201811168631.9 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109346402A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈晓宇;赵杰;折宇;孙有民 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3215;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除Polycide MOS工艺制程中WSix剥落的工艺和版图设计方法，包括以下步骤：1)栅氧化炉前清洗，清洗掉硅片表面上的表面颗粒、金属、有机物沾污和自然氧化层；2)硅片在高温氧化气氛中氧化形成栅氧化层；3)利用CVD淀积方法在栅氧化层上进行淀积形成无掺杂的多晶硅层；4)在得到的多晶硅层上进行淀积形成WSix层；5)在得到WSix层后，通过N型注入进行多晶掺杂；步骤1)之前包括如下步骤：在Polycide MOS工艺版图设计时，多晶层都经过N型或P型注入层的覆盖。该方法简化了现有工艺制程，且WSix应力明显减少，有效控制了WSix剥落问题，能够提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 版图设计 淀积 制程 剥落 多晶硅层 栅氧化层 清洗 高温氧化气氛 有机物沾污 自然氧化层 表面颗粒 硅片表面 有效控制 掺杂的 多晶层 良品率 栅氧化 注入层 硅片 多晶 掺杂 金属 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种消除Polycide MOS工艺制程中WSix剥落的工艺和版图设计方法，其特征在于，包括以下步骤：1)栅氧化炉前清洗，清洗掉硅片表面上的表面颗粒、金属、有机物沾污和自然氧化层；2)硅片在高温氧化气氛中氧化形成栅氧化层；3)利用CVD淀积方法在栅氧化层上进行淀积形成无掺杂的多晶硅层；4)在得到的多晶硅层上进行淀积形成WSix层；5)在得到WSix层后，通过N型注入进行多晶掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
