[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备有效
| 申请号： | 201811171546.8 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109360824B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种紧凑的竖直型半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，竖直型半导体器件可以包括：多个彼此叠置的竖直型单元器件，各单元器件包括相应的横向延伸的栅堆叠，其中各栅堆叠包括主体、端部以及主体与端部之间的连接部，其中在俯视图中连接部的外周相对于主体和端部的外周收缩；以及位于各栅堆叠的端部上与端部相接触的接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种竖直型半导体器件，包括：多个彼此叠置的竖直型单元器件，各单元器件包括相应的横向延伸的栅堆叠，其中各栅堆叠包括主体、端部以及主体与端部之间的连接部，其中在俯视图中连接部的外周相对于主体和端部的外周收缩；以及位于各栅堆叠的端部上与端部相接触的接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
