[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 201811172248.0 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110707086B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 永井享浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件，其主要包含一浅沟隔离设于一基底内以及一第一栅极结构设于该浅沟隔离上，其中第一栅极结构又包含一第一水平部设于该浅沟隔离上、一垂直部连接该第一水平部并延伸至部分该浅沟隔离内以及一第二水平部连接该垂直部。此外半导体元件又包含一第一间隙壁设于第一栅极结构一侧壁以及浅沟隔离上，以及一第二间隙壁设于第一栅极结构另一侧壁及第二水平部上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n浅沟隔离，设于基底内；/n第一栅极结构，设于该浅沟隔离上，其中该第一栅极结构包含：/n第一水平部，设于该浅沟隔离上；/n垂直部，连接该第一水平部并延伸至部分该浅沟隔离内；以及/n第二水平部，连接该垂直部。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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