[发明专利]一种N型多晶硅双面电池制备方法

摘要

本发明公开了一种N型多晶硅双面电池制备方法，包括：对制绒后的N型硅片进行硼扩散，并去除N型硅片背表面所形成的背面P+层，N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片；对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，并去除吸杂层；对去除吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散；去除N型硅片表面所形成的PSG，在N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，并在N型硅片的正表面和背表面分别制备电极。本申请公开的上述技术方案，通过吸杂处理以减少由多晶硅锭的尾部所生产出的N型硅片中的杂质，从而提高了对多晶硅锭尾部的利用率和N型多晶硅双面电池的少子寿命，进而提高了N型多晶硅双面电池的转换效率。

主权项

1.一种N型多晶硅双面电池制备方法，其特征在于，包括：对制绒后的N型硅片进行硼扩散，并去除所述N型硅片背表面所形成的背面P+层，所述N型硅片为通过对多晶硅锭的尾部进行切割得到的多晶硅片；对去除背面P+层的N型硅片进行背表面扩散吸杂处理，并去除吸杂层；对去除所述吸杂层的N型硅片的背表面进行磷扩散，以制备BSF；去除所述N型硅片表面所形成的PSG，在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备钝化层，并在所述N型硅片的正表面和背表面分别制备电极，以得到N型多晶硅双面电池。