[发明专利]存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法有效
| 申请号： | 201811181229.4 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110751969B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 何信义;龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C5/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器电路以及用于操作三维交叉点存储器阵列的方法，存储器电路包括三维交叉点存储器阵列，此三维交叉点存储器阵列具有设置在N个第一存取线层和P个第二存取线层的交叉点处的M层的存储单元。此存储器电路还包括第一和第二组的第一存取线驱动器。第一组第一存取线驱动器可操作地耦接以将共第一操作电压施加到奇数的第一存取线层中所选择的第一存取线。第二组第一存取线驱动器可操作地耦合以将共第一操作电压施加到偶数的第一存取线层中所选择的第一存取线。多组的第二存取线驱动器可操作地配置来将第二操作电压施加到所选择的第二存取线层中所选择的第二存取线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 以及 用于 操作 三维 交叉点 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器电路，包括：/n三维交叉点存储器阵列，具有至少M层的存储单元，设置在第一存取线和第二存取线的交叉点中；/n用于所述M层的N个第一存取线层，每个第一存取线层(n)包括耦接到对应列的存储单元的多个第一存取线，其中n是从1到N的；/n用于所述M层的P个第二存取线层，所述P个第二存取线层与所述N个第一存取线层交错，每个第二存取线层(p)包括耦接到对应行的存储单元的多个第二存取线，其中p是从1到P的；以及/n译码器和驱动器电路，用以将共操作电压施加到一组第一存取线层中所选择的第一存取线，所述一组第一存取线层具有多于一个且少于N个的构件；/n所述译码器和驱动器电路，还用以将操作电压施加到所述第二存取线层中所选择的第二存取线。/n
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