[发明专利]优化EMI的超结MOSFET版图结构及制造方法在审
| 申请号： | 201811188014.5 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109509792A | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;张园园;肖晓军;任文珍 | 申请（专利权）人： | 龙腾半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市未*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及优化EMI的超结MOSFET版图结构及制造方法，该方法通过poly布图，结合P‑body自对准注入工艺，达到增加MOSFET的Cgd，减小dv/dt，提高器件EMI性能的目的，同时省掉了一层body版。本发明通过特殊的poly布图，结合P‑body自对准注入工艺，可以达到增加MOSFET的Cgd，减小dv/dt，提高器件EMI性能的目的，同时省掉了一层body版，降低了产品的生产成本；通过仿真，结构的Cgd明显增加，使得在器件使用过程中，dv/dt减小，EMI性能提升。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 超结MOSFET 版图结构 自对准 器件使用 性能提升 生产成本 优化 制造 | ||
【主权项】：
1.优化EMI的超结MOSFET版图结构的制造方法，其特征在于：该方法通过poly布图，结合P‑body自对准注入工艺，达到增加MOSFET的Cgd，减小dv/dt，提高器件EMI性能的目的，同时省掉了一层body版。
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