[发明专利]抗突波电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201811188212.1 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN111048314B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 吴家钰 | 申请（专利权）人： | 钰冠科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/028;H01G9/15;H01G9/26 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;沈敬亭 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开抗突波电容器及其制造方法。所述抗突波电容器的制造方法包括以下步骤：(a)提供电容器基材，并对电容器基材的表面进行腐蚀处理，以形成腐蚀表面；(b)使用第一导电高分子分散液处理腐蚀表面；(c)使用第二导电高分子分散液处理腐蚀表面；其中，步骤(b)及步骤(c)是根据预定先后顺序处理经腐蚀的电容器基材，以在电容器基材上形成导电高分子层；其中，第一导电高分子分散液的浓度与第二导电高分子分散液的浓度相异。本发明的抗突波电容器具有抗突波及降低容衰率的电气特性。本发明另公开一种抗突波电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 抗突波 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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