[发明专利]一种含三维多孔结构Cu-CuOX 有效
| 申请号： | 201811188389.1 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109999805B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;秦浩;杨志卿;叶恒强;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | B01J23/72 | 分类号： | B01J23/72;B01J35/10 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
本发明涉及金属半导体异质结构材料领域，具体为一种含三维多孔结构Cu‑CuO |
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| 搜索关键词： | 一种 三维 多孔 结构 cu cuo base sub | ||
【主权项】：
1.一种含三维多孔结构Cu‑CuOx异质结构的制备方法，其特征在于，以商业铜箔为起始材料，将其在酸性溶液中浸泡后，用去离子水清洗并烘干，放置在烧舟上，放入马弗炉在含氧气氛下处理，获得中间产物CuOx，0≤x<2；之后再放入管式炉中，在还原气氛下热处理，从而获得含三维多孔结构Cu‑CuOx异质结构，通过改变热处理过程中的反应时间，调控异质结构的成分比例。
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