[发明专利]用于制造半导体器件的工艺控制方法和工艺控制系统有效
| 申请号： | 201811188675.8 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109671645B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 朴正宪;朴容星;李俊明;赵显;吴世忠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了工艺控制方法和工艺控制系统。所述方法包括：对由一组多个晶片限定的晶片组执行沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差来产生所述沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值提供关于后续晶片组的所述因素的输入值。提供所述因素的输入值的操作包括：获得先前产生的关于至少一个先前晶片组的所述因素的先前目标值，以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 工艺 控制 方法 控制系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的工艺控制方法，所述工艺控制方法包括：对包括多个晶片的晶片组执行第一沉积工艺；对所述晶片组执行测量工艺，以获得关于所述多个晶片中的至少一个晶片的测量值；通过使用所述测量值与参考值之间的差，产生所述第一沉积工艺中的工艺条件的因素的目标值；以及基于所述目标值，针对用于后续晶片组的第二沉积工艺提供所述因素的输入值，其中，提供所述因素的输入值包括：获得所述因素的先前目标值，所述先前目标值是关于至少一个先前晶片组在先前产生的；以及提供所述先前目标值和所述目标值的加权平均值作为所述输入值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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