[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201811194330.3 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109285844B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 韦显旺 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种阵列基板，用于显示面板。所述阵列基板包含一基板；一栅极层，设于所述基板上，所述栅极层包括栅极线；一有机光阻层，涂布于所述栅极层及所术基板上，所述有机光阻层对应所述栅极线设有凹槽；一栅极绝缘层，设于所述有机光阻层上；一金属氧化物层，设于所述栅极绝缘层上；及一金属层，设于所述金属氧化物层上，所述金属层及所述金属氧化物层通过光刻及蚀刻工艺定义源极及漏极区线路、半导体区，及像素区。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，用于显示面板，其特征在于，所述阵列基板包含：一基板；一栅极层，设于所述基板上，所述栅极层包括栅极线；一有机光阻层，设于所述栅极层及所术基板上，所述有机光阻层对应所述栅极线设有凹槽；一栅极绝缘层，设于所述有机光阻层上；一金属氧化物层，设于所述栅极绝缘层上；及一金属层，设于所述金属氧化物层上，所述金属层及所述金属氧化物层具有源极及漏极区线路、半导体区及像素区，且所述金属氧化物层及所述金属层对应所述凹槽以外的部分及所述像素区被导体化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
