[发明专利]超级结器件的测试方法在审
| 申请号： | 201811195658.7 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109444703A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李晶晶;谢晋春;辛吉升 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超级结器件的测试方法，包括：在测试程序开始前建立两份测试数据文件；进行接触性开尔文测试；测试通过的芯片进行下一步的测试；进行栅、源漏电初始测试，测试结果IGSS0输出到文件A；进行漏、源漏电测试：首先进行击穿电压预测试，用宽的测试条件测试出器件的击穿电压值，再进行漏、源漏电测试，若测试结果未达标，则进行下一步跳转降级测试；修改漏、源漏电测试条件，重复进行；进行击穿电压测试；进行导通电阻RDSON测试，按照标准测试条件进行筛选，测试结果输出到文件A；如果标准测试条件不通过，则进行跳转降级测试；第8步，再重复测试栅、源漏电和漏、源漏电，测试结果IGSSF、IDSSF均输出到文件A；如果测试不通过，则将芯片直接剔除。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 漏电 标准测试条件 超级结器件 测试条件 击穿电压 输出 跳转 降级 测试数据文件 击穿电压测试 芯片 测试程序 测试通过 导通电阻 重复测试 接触性 预测试 剔除 筛选 达标 重复 | ||
【主权项】：
1.一种超级结器件的测试方法，其特征在于：第1步，在测试程序开始前建立两份测试数据文件，标记为文件A、文件B；第2步，进行接触性开尔文测试，失效的芯片直接剔除，终止测试，测试结果KELVIN输出到文件A；测试通过的芯片进行下一步的测试；第3步，进行栅、源漏电初始测试，测试结果IGSS0输出到文件A；第4步，进行漏、源漏电测试：首先进行击穿电压预测试，用宽的测试条件测试出器件的击穿电压值，定义为BVDSS0，输出到文件B；再进行漏、源漏电测试；若测试结果满足测试标准，则将测试结果IDSS1输出到文件A；若测试结果未达标，则进行下一步跳转降级测试；第5步，修改漏、源漏电测试条件，重复进行上述第4步，第一级测试的数据IDSS2输出到文件A，第二级测试的数据IDSS20输出到文件B；第6步，进行击穿电压测试，测试数据输出到文件A；第7步，进行导通电阻RDSON测试，按照标准测试条件进行筛选，测试结果输出到文件A；如果标准测试条件不通过，则进行跳转降级测试；第8步，再重复测试栅、源漏电和漏、源漏电，测试结果IGSSF、IDSSF均输出到文件A；如果测试不通过，则将芯片直接剔除。
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